A method for fabricating p-type, i-type, and n-type III-V compound materials using HVPE techniques is provided. If desired, these materials can be grown directly onto the surface of a substrate without the inclusion of a low temperature buffer layer. By growing multiple layers of differing conductivity, a variety of different device structures can be fabricated including simple p-n homojunction and heterojunction structures as well as more complex structures in which the p-n junction, either homojunction or heterojunction, is interposed between a pair of wide band gap material layers. The provided method can also be used to fabricate a device in which a non-continuous quantum dot layer is grown within the p-n junction. The quantum dot layer is comprised of a plurality of quantum dot regions, each of which is typically between approximately 20 and 30 Angstroms per axis. The quantum dot layer is preferably comprised of Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N, InGaN.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b, or Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b.

Une méthode pour fabriquer le p-type, le je-type, et le n-type matières composées d'III-V employé des techniques de HVPE est fournie. Si désirés, ces matériaux peuvent être développés directement sur la surface d'un substrat sans inclusion d'une couche d'amortisseur de basse température. Par des couches multiples croissantes de conductivité différente, une variété de différentes structures de dispositif peut être fabriquée comprenant les structures simples d'homojonction et d'hétérojonction de PN aussi bien que des structures plus complexes en lesquelles la jonction de PN, homojonction ou hétérojonction, est interposée entre une paire de couches larges de matériel d'espace de bande. La méthode fournie peut également être employée pour fabriquer un dispositif en lequel une couche non continue de point de quantum est développée dans la jonction de PN. La couche de point de quantum est composée d'une pluralité de régions de point de quantum, dont chacune est typiquement entre approximativement 20 et 30 angströms par axe. La couche de point de quantum est de préférence composée d'Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N, d'InGaN.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b, ou d'Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b.