The present invention relates generally to depositing elemental thin films. In particular, the invention concerns a method of growing elemental metal thin films by Atomic Layer Deposition (ALD) using a boron compound as a reducing agent. In a preferred embodiment the method comprises introducing vapor phase pulses of at least one metal source compound and at least one boron source compound into a reaction space that contains a substrate on which the metal thin film is to be deposited. Preferably the boron compound is capable of reducing the adsorbed portion of the metal source compound into its elemental electrical state.

De onderhavige uitvinding heeft over het algemeen op het deponeren van elementaire dunne films betrekking. In het bijzonder betreft de uitvinding een methode om elementaire metaal dunne films door het Atoomdeposito van de Laag te kweken (ALD) gebruikend een boriumsamenstelling als verminderende agent. In een aangewezen belichaming bestaat de methode uit het introduceren van de impulsen van de dampfase van minstens één metaal bronsamenstelling en minstens één borium bronsamenstelling in een reactieruimte die een substraat bevat waarop de metaal dunne film moet worden gedeponeerd. Bij voorkeur kan de boriumsamenstelling het geadsorbeerde gedeelte van de metaal bronsamenstelling in zijn elementaire elektrostaat verminderen.