An integrated memory has memory cells with a magnetoresistive storage property. The memory cells are connected in each case between a column line and a row line. The row lines can be connected to a terminal for a selection signal for reading a data signal of one of the memory cells or writing a data signal to one of the memory cells via the column line connected to the memory cell. One or more of the column lines not connected to the memory cell can be driven in such a way that they are electrically isolated in the sense amplifier for reading or writing of the data signal. As a result, even in the case of a defective memory cell, it is possible to properly read from or write to the memory cell.

Une mémoire intégrée a des cellules de mémoire avec une propriété magnétorésistante de stockage. Les cellules de mémoire sont reliées dans chaque cas entre une ligne de colonne et une ligne de rangée. Les lignes de rangée peuvent être reliées à une borne pour un signal de choix pour lire un signal de données d'une des cellules de mémoire ou écrivant des données signalent à une des cellules de mémoire par l'intermédiaire de la ligne de colonne reliée à la cellule de mémoire. Un ou plusieurs des lignes de colonne non reliées à la cellule de mémoire peut être conduite de telle manière qu'elles soient électriquement isolées dans l'amplificateur de sens pour la lecture ou l'écriture des données signalent. En conséquence, même dans le cas d'une cellule de mémoire défectueuse, il est possible de lire correctement de ou écrire à la cellule de mémoire.