A Group III nitride compound semiconductor thin film which can be deposited on any given substrate to have uniform film quality and excellent crystalline, and a deposition method thereof. A semiconductor device and a manufacturing method thereof. A poly-crystalline Group III nitride compound thin film is deposited on a substrate by sputtering at a deposition rate of 15 to 200 nm/hour using a Group III nitride compound target in a plasma atmosphere of gas comprising 10 mole % or more nitrogen. Then, the poly-crystalline Group III nitride compound semiconductor thin film deposited on the substrate is irradiated with an excimer pulsed laser with an energy-density of about 200 mJ/cm2, in an atmosphere of gas with an oxygen content of 2 mole % or less. Thereby, lattice defects such as grain boundaries or dislocations which occur in the thin film are removed.

Ein Gruppe III Dünnfilm des Verbindungshalbleiters des Nitrids, der auf jedem möglichem gegebenen Substrat niedergelegt werden kann, um konstante Filmqualität und ausgezeichnetes kristallenes zu haben und eine Absetzungmethode davon. Ein Halbleiterelement und eine Produktionsmethode davon. Ein zusammengesetzter Dünnfilm des polykristallinen Gruppe III Nitrids wird auf einem Substrat niedergelegt, indem man mit einer Absetzungrate von 15 bis 200 nm/hour mit einem Gruppe III zusammengesetzten Ziel des Nitrids in einer Plasmaatmosphäre des Gases Mole % oder mehr Stickstoff enthalten 10 spritzt. Dann pulsierte der Verbindungshalbleiter des polykristallinen Gruppe III Nitrids, den der Dünnfilm, der auf dem Substrat niedergelegt wird, mit einem excimer bestrahlt wird, Laser mit einer Energie-Dichte von ungefähr 200 mJ/cm2, in einer Atmosphäre des Gases mit einem Sauerstoffinhalt von 2 Mole % oder weniger. Dadurch werden Gitterfehler wie Kristallgrenzen oder Verschiebungen, die im Dünnfilm auftreten, entfernt.