The present invention provides a method for growing a semiconductor layer by which the size of generable voids is controllable, inclination of the c-axis of the semiconductor crystal is avoidable and the defects in the semiconductor layer is reducible, in which a first semiconductor layer typically made of GaN is formed in a ridge pattern on a substrate, and a second semiconductor layer typically comprising GaN is then formed on the first semiconductor layer under a condition by which the growth rate in the direction parallel to the major plane of the substrate is larger than that in the direction perpendicular thereto, which is attainable by controlling the pressure in a reaction chamber in which the vapor-phase growth proceeds at 53,200 Pa (400 Torr) or above, to allow the side planes of the second semiconductor layer incline at an acute angle to the bottom plane thereof.

La presente invenzione fornisce un metodo per la crescita dello strato da cui il formato dei vuoti generable è controllabile, inclinazione a semiconduttore dell'c-asse dell'a cristallo a semiconduttore è evitabile ed i difetti nello strato a semiconduttore è riducibili, in cui un primo strato a semiconduttore fatto tipicamente di GaN è formato in un modello della cresta su un substrato e un secondo strato a semiconduttore che contiene tipicamente GaN allora è formato sul primo strato a semiconduttore in una circostanza da cui il tasso di accrescimento nel senso parallelo al piano principale del substrato è più grande di quello nella perpendicolare di senso a ciò, che è raggiungibile controllando la pressione in un alloggiamento di reazione in cui ricavati di sviluppo di vapore-fase 53.200 a PA (400 torr) o sopra, permettere i piani laterali della seconda pendenza di strato a semiconduttore ad un angolo acuto all'aereo inferiore di ciò.