It is an object of the present invention to provide a manufacturing method of semiconductor device whereby the number of processes is decreased due to simultaneously forming a contact hole in a lamination film of different material and film thickness (inorganic insulating film and organic resin film) by conducting etching once. By setting the selective ratio of dry etching (etching rate of organic resin film 503/etching rate of inorganic insulating film 502 containing nitrogen) from 1.6 to 2.9, preferably 1.9, the shape and the size of the contact holes to be formed even in a film of different material and film thickness can be nearly the same in both of the contact holes.

É um objeto da invenção atual para fornecer um método de manufacturing do dispositivo de semicondutor por meio de que o número dos processos é diminuído devido simultaneamente a dar forma a um furo do contato em uma película da laminação da espessura diferente do material e de película (película isolando inorgánica e película orgânica da resina) conduzindo gravura a água-forte uma vez. Ajustando a relação seletiva gravura a água-forte seca (taxa da taxa orgânica da película 503/etching da resina do nitrogênio contendo isolando inorgánico da película 502) 1.6 a 2.9, preferivelmente 1.9 gravura a água-forte, a forma e o tamanho dos furos do contato a ser dados forma mesmo em uma película da espessura diferente do material e de película podem ser quase o mesmos em ambos os furos do contato.