Within a dual damascene method for forming a dual damascene aperture within a microelectronic fabrication there is employed a first etch stop layer formed of a first material and a second etch stop layer formed of a second material. One of the first material and the second material is a non-nitrogenated silicon carbide material and the other of the first material and the second material is a nitrogenated silicon carbide material. By employing the first material and the second material, there may be etched completely through the first etch stop layer to reach a contact region formed there beneath while not etching completely through the second etch stop layer to reach a first dielectric layer formed there beneath.

Dentro de un método damasquino dual para formar una abertura damasquina dual dentro de una fabricación microelectrónica allí se emplea una primera capa de la parada del grabado de pistas formada de un primer material y una segunda capa de la parada del grabado de pistas formada de un segundo material. Uno del primer material y del segundo material es a non-nitrogenated el material del carburo del silicio y el otro del primer material y del segundo material es a nitrogenated el material del carburo del silicio. Empleando el primer material y el segundo material, allí se puede grabar al agua fuerte totalmente con la primera capa de la parada del grabado de pistas para alcanzar una región del contacto formada allí debajo mientras que no graba al agua fuerte totalmente con la segunda capa de la parada del grabado de pistas para alcanzar una primera capa dieléctrica formó allí debajo.