A method for extracting the capacitance value associated with a PN junction along the well-substrate interface for use in modeling the substrate. The method includes receiving the 2-D or 1-D mesh doping profile. The method includes finding a junction curve or transition region that represents the transition between the well and the substrate bulk. The method further includes finding a set of parameters .alpha.,.beta. and .gamma. to characterize the junction at a point or a vertical discretization along the transition. During modeling, the set of parameters .alpha., .beta. and .gamma. is then employed, along with the input bias voltage value, to calculate the thickness of the depletion region, which is in turn employed to calculate the capacitance for the well-substrate junction. The capacitance calculated is then employed to more accurately model the junction, which leads to a more accurate model for the substrate.

Eine Methode für das Extrahieren des Kapazitanzwertes verband mit einer PN Verzweigung entlang der Gutsubstrat Schnittstelle für Gebrauch, wenn sie das Substrat modellierte. Die Methode schließt das Empfangen des 2-D oder des Ineinandergreifens 1-D Dotierungsprofils ein. Die Methode schließt das Finden einer Verzweigung Kurve oder Übergang Region ein, die den Übergang zwischen dem Brunnen und dem Substrathauptteil darstellt. Die weitere Methode schließt das Finden eines Satzes Parameter alpha..beta. und gamma ein. die Verzweigung an einem Punkt oder eine vertikale Diskretisation entlang dem Übergang kennzeichnen. Während des Modellierens, des Satzes von Parameter alpha., des beta. und des gamma. wird dann, zusammen mit dem Eingang Vorspannungwert beschäftigt, um die Stärke der Verarmungsrandschicht zu errechnen, die der Reihe nach eingesetzt wird, um die Kapazitanz für die Gutsubstrat Verzweigung zu errechnen. Die errechnete Kapazitanz wird dann genauer zum Modell die Verzweigung eingesetzt, die zu ein genaueres Modell für das Substrat führt.