A potential barrier region is positioned in direct or indirect contact with a region containing a magnetic element. The region containing a magnetic body has a multi-layered structure in which two ferromagnetic layers are separated by a non-magnetic intermediate layer, for example. The potential barrier region may be composed of a metal layer and a semiconductor layer, for example, and a Schottky barrier is produced between them. Magnetization of the region containing a magnetic body is controlled by modulating the potential barrier of the potential barrier region by means of application of an electric field. By using at least one magnetization of the region containing a magnetic element, storage of information is effected.

Uma região da barreira potencial é posicionada no contato direto ou indireto com uma região que contem um elemento magnético. A região que contem um corpo magnético tem uma estrutura multi-layered em que duas camadas ferromagnetic são separadas por uma camada intermediária non-magnetic, para o exemplo. A região da barreira potencial pode ser composta de uma camada do metal e uma camada do semicondutor, para o exemplo, e uma barreira de Schottky são produzidas entre elas. A magnetização da região que contem um corpo magnético é controlada modulando a barreira potencial da região da barreira potencial por meio da aplicação de um campo elétrico. Usando ao menos uma magnetização da região que contem um elemento magnético, o armazenamento da informação é efetuado.