The invention includes an apparatus and a method that provides a shared global word line MRAM structure. The MRAM structure includes a first bit line conductor oriented in a first direction. A first sense line conductor is oriented in a second direction. A first memory cell is physically connected between the first bit line conductor and the first sense line conductor. A global word line is oriented in substantially the second direction, and magnetically coupled to the first memory cell. A second bit line conductor is oriented in substantially the first direction. A second sense line conductor is oriented in substantially the second direction. A second memory cell is physically connected between the second bit line conductor and the second sense line conductor. The global word line is also magnetically coupled to the second memory cell. The first memory cell and the second memory cell can be MRAM devices. A logical state of the MRAM devices can be determined by an orientation of magnetization of the MRAM devices. The orientation of magnetization of the first memory cell can be determined by current conducted by the first bit line and the global word line. The orientation of magnetization of the second memory cell can be determined by current conducted by the second bit line and the global word line. A logical state of the first memory cell can be sensed by the first bit line and the first sense line. The logical state of the first memory cell can be determined by a sensing a resistance between the first bit line and the first sense line. A logical state of the second memory cell can be sensed by the second bit line and the second sense line. The logical state of the second memory cell can be determined by a sensing a resistance between the second bit line and the second sense line.

De uitvinding omvat een apparaat en een methode die een gedeelde globale structuur van de woordlijn MRAM verstrekt. De structuur MRAM omvat een eerste georiënteerde leider van de beetjelijn in een eerste richting. Een eerste leider van de betekenislijn is georiënteerd in een tweede richting. Een eerste geheugencel wordt fysisch verbonden tussen de eerste leider van de beetjelijn en de eerste leider van de betekenislijn. Een globale woordlijn is wezenlijk georiënteerd in de tweede richting, en magnetisch gekoppeld aan de eerste geheugencel. Een tweede leider van de beetjelijn is wezenlijk georiënteerd in de eerste richting. Een tweede leider van de betekenislijn is wezenlijk georiënteerd in de tweede richting. Een tweede geheugencel wordt fysisch verbonden tussen de tweede leider van de beetjelijn en de tweede leider van de betekenislijn. De globale woordlijn wordt ook magnetisch gekoppeld aan de tweede geheugencel. De eerste geheugencel en de tweede geheugencel kunnen apparaten zijn MRAM. Een logische staat van de apparaten MRAM kan door een richtlijn van magnetisering van de apparaten worden bepaald MRAM. De richtlijn van magnetisering van de eerste geheugencel kan door stroom worden bepaald die door de eerste beetjelijn en de globale woordlijn wordt geleid. De richtlijn van magnetisering van de tweede geheugencel kan door stroom worden bepaald die door de tweede beetjelijn en de globale woordlijn wordt geleid. Een logische staat van de eerste geheugencel kan door de eerste beetjelijn en de eerste betekenislijn worden ontdekt. De logische staat van de eerste geheugencel kan door te ontdekken een weerstand tussen de eerste beetjelijn en de eerste betekenislijn worden bepaald. Een logische staat van de tweede geheugencel kan door de tweede beetjelijn en de tweede betekenislijn worden ontdekt. De logische staat van de tweede geheugencel kan door te ontdekken een weerstand tussen de tweede beetjelijn en de tweede betekenislijn worden bepaald.