A magnetic spin polarizing a magnetization rotation device with a memory and a writing process using such a device. The device is configured to include an apparatus for polarizing the spin of electrons, including a magnetic layer having magnetization perpendicular to the plane of magnetization of respective first and second magnetic layers. The magnetization of the second magnetic layer rotates within a plane, which is either the plane of the layer or a perpendicular plane.

Магнитная закрутка поляризовывая приспособление вращения замагничивания с памятью и процессом сочинительства использующ такое приспособление. Приспособление установлено для того чтобы включить прибор для поляризовывать закрутку электронов, включая магнитный слой имея перпендикуляр замагничивания к плоскости замагничивания соответственно первого и во-вторых магнитных слоев. Замагничивание второго магнитного слоя вращает внутри плоскостью, которая будет или плоскостью слоя или перпендикулярной плоскостью.

 
Web www.patentalert.com

< Shared global word line magnetic random access memory

< CPP spin-valve device

> High performance semiconductor memory devices

> Thermally-assisted switching of magnetic memory elements

~ 00063