A magnetic memory element is written to by heating the memory element and applying at least one magnetic field to the memory element. The memory element is heated via heating lines which can be formed in a single path or plurality of paths. Each path has one end tied to a reference potential, and the other end coupled to a current source via a transistor.

Ein magnetisches Gedächtniselement wird geschrieben zu, indem man das Gedächtniselement heizt und magnetisches ein anwendend mindestens, fangen Sie zum Gedächtniselement auf. Das Gedächtniselement wird über Heizung Linien geheizt, die in einem einzelnen Weg oder in einer Mehrzahl der Wege gebildet werden können. Jeder Weg hat ein Ende, das an ein Bezugspotential gebunden werden, und das andere Ende, das zu einer gegenwärtigen Quelle über einen Transistor verbunden wird.