A magnetoresistance effect type memory in and from which information is
recorded and reproduced by utilizing a magnetoresistance effect comprises
a substrate, a magnetoresistance film provided on the substrate, which
comprises a reproducing layer, a memory layer and a non-magnetic layer
provided between the reproducing layer and the memory layer, and a
magnetization-fixing layer provided on the substrate, which orients a
magnetization of the reproducing layer to one direction. In the
magnetoresistance effect type memory a conductor wire may be disposed on
the magnetoresistance film on a side opposite to the substrate.
A recording-reproducing method for the magnetoresistance effect type memory
comprises the steps of applying any one of positive and negative electric
current pulses to the conductor wire, and detecting a change in resistance
of the magnetoresistance film to reproduce information recorded in the
memory layer. A recording-reproducing device for recoding and reproducing
information in and from the magnetoresistance effect type memory comprises
a means for supplying a uni-directional electric current to said conductor
wire, and a means for detecting a change in resistance of said
magnetoresistance film to reproduce information recorded in the memory.
Память типа влияния magnetoresistance в и от которая информация записана и воспроизведено путем использовать влияние magnetoresistance состоит из субстрата, пленки magnetoresistance обеспеченной на субстрате, который состоит из воспроизводя слоя, слоя памяти и немагнитного слоя обеспеченного между воспроизводя слоем и слоем памяти, и слой замагничивани-otladki обеспеченный на субстрате, который ориентирует замагничивание воспроизводя слоя до одно направление. В памяти типа влияния magnetoresistance провод проводника может быть размещан на пленке magnetoresistance на стороне напротив субстрата. Запис-vosproizvod4 метод для памяти типа влияния magnetoresistance состоит из шагов прикладывать любое один из положительных и отрицательных электрических в настоящее время ИМПОВ ульс к проводу проводника, и обнаруживать изменение в сопротивлении пленки magnetoresistance для того чтобы воспроизвести информацию записанную в слое памяти. Запис-vosproizvod4 приспособление для перешифровать и воспроизводить информацию в и от памяти типа влияния magnetoresistance состоит из середин для поставлять однонаправленное электрическое течение к сказанному проводу проводника, и середины для обнаруживать изменение в сопротивлении сказанной пленки magnetoresistance для того чтобы воспроизвести информацию записанную в памяти.
