A description is given of a method and a circuit configuration for evaluating an information content of a memory cell, preferably of an MRAM memory cell, or of a memory cell array. In order to be able to perform accurate and reliable evaluation of the memory cell, a first current value flowing through the memory cell or a voltage value correlated with the current value is measured and conducted through a first circuit branch, which has a switch and a capacitance, and is buffer-stored. The memory cell is subsequently subjected to a programming operation. Afterward, in the same memory cell a second current value or voltage value is measured and conducted through a second circuit branch that has a switch and a capacitance and is buffer-stored there. The two measured values are compared with one another in an evaluation unit.

Una descrizione è data di un metodo e di una configurazione di circuito per la valutazione del contenuto di informazioni di una cellula di memoria, preferibilmente di una cellula di memoria di MRAM, o di un allineamento delle cellule di memoria. Per potere effettuare la valutazione esatta e certa della cellula di memoria, un primo valore corrente che attraversa la cellula di memoria o un valore di tensione correlato con il valore corrente è misurato e condotto attraverso un primo ramo del circuito, che ha un interruttore e una capacità ed amplificatore-è immagazzinato. La cellula di memoria successivamente è sottoposta ad un funzionamento di programmazione. In seguito, nella stessa cellula di memoria un secondo valore corrente o il valore di tensione è misurato e condotto attraverso un secondo ramo del circuito che ha un interruttore e una capacità ed amplificatore-è immagazzinato là. I due valori misurati sono confrontati tra loro in un'unità di valutazione.