A magnetoresistive device including a high-resistivity layer (13), a first magnetic layer (12) and a second magnetic layer (14), the first magnetic layer (12) and the second magnetic layer (14) being arranged so as to sandwich the high-resistivity layer (13), wherein the high-resistivity layer (13) is a barrier for passing tunneling electrons between the first magnetic layer (12) and the second magnetic layer (14), and contains at least one element L.sub.ONC selected from oxygen, nitrogen and carbon; at least one layer A selected from the first magnetic layer (12) and the second magnetic layer (14) contains at least one metal element M selected from Fe, Ni and Co, and an element R.sub.CP different from the metal element M; and the element R.sub.CP combines with the element L.sub.ONC more easily in terms of energy than the metal element M. Accordingly, a novel magnetoresistive device having a low junction resistance and a high MR can be obtained.

Un dispositivo magnetoresistente compreso uno strato di alto-resistività (13), un primo strato magnetico (12) e un secondo strato magnetico (14), il primo strato magnetico (12) ed il secondo strato magnetico (14) che è organizzato in modo da intramezzare lo strato di alto-resistività (13), in cui lo strato di alto-resistività (13) è una barriera per passare gli elettroni di traforo fra il primo strato magnetico (12) ed il secondo strato magnetico (14) e contiene almeno un elemento L.sub.ONC scelto da ossigeno, da azoto e da carbonio; almeno uno strato A scelto dal primo strato magnetico (12) ed il secondo strato magnetico (14) contiene almeno un elemento m. del metallo scelto dal Fe, Ni e Co e un elemento R.sub.CP differente dall'elemento m. del metallo; ed i combines dell'elemento R.sub.CP con l'elemento L.sub.ONC più facilmente in termini di energia che l'elemento M. Accordingly del metallo, un dispositivo magnetoresistente del romanzo che ha una resistenza bassa della giunzione e un alto SIG. possono essere ottenuti.