A sense amplifier having three inputs determines the state of a memory bit cell by converting a bit input voltage, a high reference voltage, and a low reference voltage to respective current values. Current differences are formed between a bit current and a high reference current, and between a low reference current and a bit current. Current mirrors (154, 158 and 170, 166) and loads (160 and 168) are used in conjunction with current steering circuitry (150, 140, 142 and 162) to form the difference of the bit current and the high reference current and also form the difference of the low reference current and the bit current. Additionally, the sense amplifier drives differential outputs (OUT and OUT.sub.13 B) to reflect the difference between the two current differential quantities.

Ένας ενισχυτής αίσθησης που έχει τρεις εισαγωγές καθορίζει την κατάσταση ενός κυττάρου κομματιών μνήμης με τη μετατροπή μιας τάσης εισαγωγής κομματιών, μιας υψηλής τάσης αναφοράς, και μιας χαμηλής τάσης αναφοράς στις αντίστοιχες τρέχουσες τιμές. Οι τρέχουσες διαφορές διαμορφώνονται μεταξύ λίγο τρέχοντος και ενός υψηλού ρεύματος αναφοράς, και μεταξύ ενός χαμηλού ρεύματος αναφοράς και λίγο τρέχων. Τρέχοντες καθρέφτες (154 ..158 και 170, 166) και φορτία (160 και 168) χρησιμοποιούνται από κοινού με τα τρέχοντα στοιχεία κυκλώματος οδήγησης (150 ..140 ..142 και 162) για να διαμορφώσουν τη διαφορά του ρεύματος κομματιών και του υψηλού ρεύματος αναφοράς και να διαμορφώσει επίσης τη διαφορά του χαμηλού ρεύματος αναφοράς και του ρεύματος κομματιών. Επιπλέον, ο ενισχυτής αίσθησης οδηγεί τα διαφορικά αποτελέσματα (ΕΞΩ και OUT.sub.13 Β) για να απεικονίσουν τη διαφορά μεταξύ των δύο τρεχουσών διαφορικών ποσοτήτων.

 
Web www.patentalert.com

< Structure and method for transverse field enhancement

< Magnetoresistance random access memory

> Magnetoresistive device and method for producing the same, and magnetic component

> Circuit configuration for evaluating the information content of a memory cell

~ 00076