A magnetoresistive tunneling junction memory cell comprises a magnetoresistive tunneling barrier (16), a bit magnetic region (15), a reference magnetic region (17), and current lines (20, 30) for inducing an applied magnetic field in the bit and reference magnetic regions. The bit magnetic region has a bit magnetic moment (43, 40,1425, 1625, 1950, 2315) that has a polarity in a bit easy axis (59, 1435) when there is no applied magnetic field. The tunneling barrier and the bit and reference magnetic regions form a magnetoresistive tunneling junction device (10, 72, 73, 74, 75, 76). In some implementations (73, 74, 75), the reference magnetic region has a reference magnetic moment (40, 1430, 1440, 1920, 1925) that is non-parallel to the bit easy axis. In other implementations (76), the reference magnetic region has a magnetization vortex (2310) with a net reference magnetic moment that is essentially zero. An applied magnetic field changes the magnetic state of the reference magnetic region such that the magnetic state of the bit magnetic region can be determined by a magnetoresistive measurement.

Een magnetoresistive een tunnel gravende cel van het verbindingsgeheugen bestaat uit een magnetoresistive een tunnel gravende barrière (16), uit een beetje magnetisch gebied (15), uit een verwijzings magnetisch gebied (17), en uit huidige lijnen (20, 30) voor het veroorzaken van een toegepast magnetisch gebied in de beetje en verwijzings magnetische gebieden. Het beetje magnetische gebied heeft een beetje magnetisch ogenblik (43, 40.1425, 1625..1950, 2315) dat een polariteit in een beetje gemakkelijke as heeft (59, 1435) wanneer er geen toegepast magnetisch gebied is. De een tunnel gravende barrière en de beetje en verwijzings magnetische gebieden vormen een magnetoresistive een tunnel gravend verbindingsapparaat (10..72..73, 74..75..76). In sommige implementaties (73..74..75), heeft het verwijzings magnetische gebied een verwijzings magnetisch ogenblik (40..1430..1440..1920..1925) dat aan de beetje gemakkelijke as niet-parallel is. In andere implementaties (76), heeft het verwijzings magnetische gebied een magnetiseringsdraaikolk (2310) met een netto verwijzings magnetisch ogenblik dat hoofdzakelijk nul is. Een toegepast magnetisch gebied verandert de magnetische staat van het verwijzings magnetische gebied dusdanig dat de magnetische staat van het beetje magnetische gebied door een magnetoresistive meting kan worden bepaald.