A method for fabricating p-type, i-type, and n-type III-V compound materials using HVPE techniques is provided. If desired, these materials can be grown directly onto the surface of a substrate without the inclusion of a low temperature buffer layer. By growing multiple layers of differing conductivity, a variety of different device structures can be fabricated including simple p-n homojunction and heterojunction structures as well as more complex structures in which the p-n junction, either homojunction or heterojunction, is interposed between a pair of wide band gap material layers. The provided method can also be used to fabricate a device in which a non-continuous quantum dot layer is grown within the p-n junction. The quantum dot layer is comprised of a plurality of quantum dot regions, each of which is typically between approximately 20 and 30 Angstroms per axis. The quantum dot layer is preferably comprised of Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N, InGaN.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b, or Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b.

Обеспечен метод для изготовлять п-tip, я-tip, и материалы н-tipa III-V составные используя методы HVPE. Если пожелано, эти материалы можно вырасти сразу на поверхность субстрата без включения слоя буфера низкой температуры. Путем множественные слои отличая проводимости, разнообразие по-разному структур приспособления можно изготовить включая просто структуры гомоперехода и гетероперехода p-n также,как более сложные структуры в которых соединение p-n, или гомопереход или гетеропереход, interposed между парой широких слоев материала зазора полосы. Обеспеченный метод можно также использовать для того чтобы изготовить приспособление в non-continuous слой многоточия суммы растется внутри соединение p-n. Слой многоточия суммы состоится из множественности зон многоточия суммы, каждое из которых находится типично между приблизительно 20 и 30 ангстромами в ось. Слой многоточия суммы предпочтительн состоится из Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z н, InGaN.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b, или Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Dispersion-type electroluminescence element

> Method of manufacturing GaN-based p-type compound semiconductors and light emitting diodes

> (none)

~ 00050