Compound semiconductor material is irradiated with x-ray radiation to activate a dopant material. Active carrier concentration efficiency may be improved over known methods, including conventional thermal annealing. The method may be employed for III-V group compounds, including GaN-based semiconductors, doped with p-type material to form low resistivity p-GaN. The method may be further employed to manufacture GaN-based LEDs, including blue LEDs, having improved forward bias voltage and light-emitting efficiency.

El material del semiconductor compuesto se irradia con la radiación de la radiografía para activar un material del dopant. La eficacia activa de la concentración de portador puede ser métodos sabidos excedente mejorados, incluyendo el recocido termal convencional. El método se puede emplear para los compuestos del grupo de III-V, incluyendo los semiconductores GaN-basados, dopados con el p-tipo material para formar el p-GaN bajo de la resistencia. El método se puede emplear más a fondo para fabricar los LED GaN-basados, incluyendo los LED azules, mejorando polariza voltaje y eficacia hacia adelante luminescente.