A semiconductor memory device having a plurality of memory cells, word lines and bit lines formed on a semiconductor substrate, where each of the memory cells includes a source area formed adjacent to a channel area in the semiconductor substrate; a drain area formed opposite the source area with the channel area therebetween in the semiconductor substrate, the drain area being connected to one of the bit lines; a tunnel insulating film formed on the channel area, the tunnel insulating film having a proper thickness for a carrier to pass through by a tunnel phenomenon; a floating gate formed on the tunnel insulating film so as to overlap neither the source area nor the drain area; a gate insulating film formed on the floating gate so as to cover the floating gate; and a control gate formed on the gate insulating film so as to partially overlap both of the source area and the drain area, the control gate being connected to one of the word lines. In the semiconductor memory device, the source areas of the memory cells are connected to each other so that a common voltage is supplied to each of the source areas.

Eine Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Mehrzahl der Speicherzellen, der Wortlinien und der Spitze Linien hat, bildete sich auf einem Halbleitersubstrat, in dem jede der Speicherzellen einen Quellbereich einschließt, der neben einem Führung Bereich im Halbleitersubstrat gebildet wird; ein Abflußbereich, der gegenüber von dem Quellbereich mit dem Führung Bereich gebildet wird, therebetween im Halbleitersubstrat, der Abflußbereich, der bis eine der Spitze Linien angeschlossen wird; ein isolierender Film des Tunnels bildete sich auf dem Führung Bereich, der isolierende Film des Tunnels, der eine korrekte Stärke für eine Fördermaschine zum Durchlauf durch durch ein Tunnelphänomen hat; ein sich hin- und herbewegendes Gatter bildete sich auf dem isolierenden Film des Tunnels, um sich weder dem Quellbereich noch mit dem Abflußbereich zu decken; ein isolierender Film des Gatters bildete sich auf dem sich hin- und herbewegenden Gatter, um das sich hin- und herbewegende Gatter zu umfassen; und ein Steuergatter bildete sich auf dem isolierenden Film des Gatters, um beiden mit des Quellbereichs und des Abflußbereichs, das Steuergatter teilweise sich zu decken, das bis eine der Wortlinien angeschlossen wurde. In der Halbleiterspeichervorrichtung werden die Quellbereiche der Speicherzellen miteinander angeschlossen, damit eine allgemeine Spannung an jeden der Quellbereiche geliefert wird.