A controller writes, after writing data into a nonvolatile memory unit, new management information that reflects the data wiring, into an area of the memory unit other than an area of the nonvolatile memory unit, which stores last management information. After that, the controller writes an old management information flag in relation to the last management information. Further, the controller searches the memory unit for updated, normal management information when initializing the memory system. If it does not find updated, normal management information, the controller restores updated management information on the basis of normal old management information related to the old management information flag.

Un regolatore scrive, dopo i dati in un'unità di memoria non volatile, le nuove informazioni in materia di gestione di scrittura che riflettono i collegamenti di dati, in una zona dell'unità di memoria tranne una zona dell'unità di memoria non volatile, che memorizza le ultime informazioni in materia di gestione. Dopo il quel, il regolatore scrive una vecchia bandierina delle informazioni dell'amministrazione rispetto alle ultime informazioni in materia di gestione. Più ulteriormente, il regolatore cerca l'unità di memoria le informazioni in materia di gestione aggiornate e normali quando inizializza il sistema di memoria. Se non trova le informazioni in materia di gestione aggiornate e normali, il regolatore ristabilisce le informazioni in materia di gestione aggiornate in base alle vecchie informazioni in materia di gestione normali relative alla vecchia bandierina delle informazioni dell'amministrazione.

 
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< Semiconductor device and method for the manufacture thereof

< High temperature deposition of Pt/TiOx for bottom electrodes

> Nonvolatile ferroelectric memory without a separate cell plate line and method of manufacturing the same

> Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

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