A field effect transistor having a quantum-wave interference layer with plural periods of a pair of a first layer W and a second layer B. The second layer B has wider band gap than the first layer W, and the quantum-wave interference layer is formed in a region adjacent to a channel. Each thickness of the first layer W and the second layer B is determined by multiplying by an odd number one fourth of quantum-wave wavelength of carriers in each of the first layer W and the second layer B, which exist around the lowest energy level of the second layer B. The quantum-wave interference layer functions as a carrier reflecting layer, and enable to prevent leakage current from a source to a region except a drain.

Μια κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων που έχει ένα στρώμα παρέμβασης κβαντικός-κυμάτων με τις περιόδους πληθυντικού ζευγαριού ενός πρώτου στρώματος W και ενός δεύτερου στρώματος β. Το δεύτερο στρώμα β έχει το ευρύτερο χάσμα ζωνών από το πρώτο στρώμα W, και το στρώμα παρέμβασης κβαντικός-κυμάτων διαμορφώνεται σε μια περιοχή δίπλα σε ένα κανάλι. Κάθε πάχος του πρώτου στρώματος W και του δεύτερου στρώματος β καθορίζεται με τον πολλαπλασιασμό με έναν περίεργο αριθμό ενός τετάρτου του μήκους κύματος κβαντικός-κυμάτων των μεταφορέων σε κάθε ένα από το πρώτο στρώμα W και το δεύτερο στρώμα β, το οποίο υπάρχει γύρω από το χαμηλότερο ενεργειακό επίπεδο του δεύτερου στρώματος β. Το στρώμα παρέμβασης κβαντικός-κυμάτων λειτουργεί ως μεταφορέας απεικονίζοντας το στρώμα, και επιτρέπει να αποτραπεί το ρεύμα διαρροής από μια πηγή σε μια περιοχή εκτός από έναν αγωγό.