A hybrid deposition system includes a reactor chamber, at least one heating
unit, a first reagent gas source, a metallo-organic source, a second
reagent gas source, and a valve unit for stopping flow of gas from the
metallo-organic source. The hybrid incorporates features of both
metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and hydride vapor-phase
epitaxy (HVPE). The hybrid system may be operated in MOCVD mode, in HVPE
mode, or in both MOCVD and HVPE mode simultaneously. The system may be
switched between deposition modes without interrupting deposition, or
removing the sample from the reactor chamber. The at least one heating
unit may be moved relative to the reactor chamber, or vice versa, for
easily and rapidly adjusting the temperature of the reactor chamber. A
method for forming at least one epitaxial layer of a III-V compound on a
non-native substrate in which deposition is performed by two different
techniques in the same reactor chamber. The two different deposition
techniques, for example, MOCVD and HVPE, may be performed in the same
reactor chamber, consecutively and concurrently.
Гибридная система низложения вклюает камеру реактора, по крайней мере один блок топления, первый источник газа реагента, metallo-organic источник, второй источник газа реагента, и блок клапана для останавливать подачу газа от metallo-organic источника. Гибрид включает характеристики как металл-organiceskogo низложения химически пара (mocvd) так и эпитаксии пар-ucastka гидрида (HVPE). Гибридная система может эксплуатироваться в режиме mocvd, в режиме HVPE, или и в режиме mocvd и HVPE одновременно. Система может быть переключена между режимами низложения без прерывая низложения, или извлекать образец от камеры реактора. По крайней мере один блок топления может быть двинут по отношению к камере реактора, или наоборот, для легко и быстро регулирующ температуру камеры реактора. Метод для формировать по крайней мере один эпитаксиальный слой смеси III-V на не местном субстрате в низложение выполнено 2 по-разному методами в такой же камере реактора. 2 по-разному метода низложения, например, mocvd и HVPE, могут быть выполнены в такой же камере реактора, последовательно и одновременно.
