A method for driving a nonvolatile ferroelectric memory device enabling an operation of a writing mode and a reading mode of a data to be carried out equally in an entire cell array and being suitable for reducing cell size by decreasing a minimum sensing voltage is disclosed. This method for driving a nonvolatile ferroelectric memory device, which includes a main cell and a reference cell provided with one transistor and one or more ferroelectric capacitors among a first voltage applying line (wordline), a bitline and a second voltage applying line, the method including the steps of primarily activating the wordline and a reference wordline at high level in an active period of one cycle, deactivating the wordline and the reference wordline, activating a sensing amplifier after the wordline is inactivated, secondarily activating the wordline at high level in a state that the sensing amplifier is activated in the active period, applying high level of at least one time or more to the second voltage applying line to be coincident with the secondary active period of the wordline at at least one point, and transiting a chip enable signal from low to high level to precharge the chip enable signal.

Een methode om een niet-vluchtig ferroelectric geheugenapparaat te drijven toelatend wordt dat een verrichting van een het schrijven wijze en een lezingswijze van een gegeven wordt uitgevoerd eveneens in een volledige celserie en het zijn geschikt om celgrootte te verminderen door een minimum het ontdekken voltage te verminderen onthuld. Deze methode om een niet-vluchtig ferroelectric geheugenapparaat te drijven, dat een hoofdcel omvat en een verwijzingscel die van één transistor en één of meer ferroelectric condensatoren onder een eerste voltage wordt voorzien dat lijn (wordline) toepast wordt, een bitline en een tweede voltage die lijn, de methode met inbegrip van de stappen van hoofdzakelijk het activeren van wordline en een verwijzingswordline op hoog niveau tijdens een actieve periode van één cyclus toepassen, die wordline en verwijzingswordline desactiveren, activerend een ontdekkende versterker na wordline buiten werking gesteld, secundair activerend wordline op hoog niveau in een staat dat de ontdekkende versterker tijdens de actieve periode wordt geactiveerd, die hoog niveau toepassen van in minste één keer of om samenvallend te zijn met de secundaire actieve periode van wordline bij minstens één punt, en het doortrekken van een spaander laat signaal van laag aan hoog niveau toe om de spaander voor te laden toelaten signaal.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Semiconductor device having improved metal line structure and manufacturing method therefor

> Current driver configuration for MRAM

> (none)

~ 00051