A current driver configuration for MRAMs includes word-line drivers and bit-line drivers at respective first ends of word lines and bit lines. The word line drivers and the bit line drivers each include a series circuit formed by an n-channel field-effect transistor and a current source. Further series circuits are provided at the respective second ends of the word lines and the bit lines. Each of the further series circuits includes a second n-channel field-effect transistor and a voltage source.

Une configuration courante de conducteur pour MRAMs inclut la mot-ligne conducteurs et la peu-ligne conducteurs aux premières extrémités respectives des lignes de mot et a mordu des lignes. La ligne conducteurs de mot et la ligne conducteurs chacun de peu incluent un circuit de série constitué par un transistor d'effet de champ de n-canal et une source courante. D'autres circuits de série sont fournis aux deuxièmes extrémités respectives des lignes de mot et des lignes de peu. Chacun des circuits supplémentaires de série inclut un deuxième transistor d'effet de champ de n-canal et une source de tension.