Disclosed are a silicon thin film structure for optoelectronic devices and
a method for manufacturing the same. The silicon thin film structure for
optoelectronic devices, comprises a multi-layered structure consisting of
a plurality of structural units, each comprising: a silicon base layer;
and a luminescent, rare earth element-doped silica layer on said silicon
base layer, or a multi-layered structure consisting of a plurality of
structural units, each comprising: a silicon base layer; a lower undoped
silica buffer layer for restraining the silicon layer from absorbing
emitted light on said silicon base layer; a luminescent, rare earth
element-doped silica layer for emitting light on said lower undoped silica
buffer layer; and an upper, undoped silica buffer layer for restraining
the silicon from absorbing emitted light on said luminescent, doped silica
layer. Hence, while the multi-layered structures of silicon/silica are set
as a basic backbone, the undoped silica layer is interposed between the
silicon layer and the erbium-doped silica layer, thereby increasing the
total luminescence efficiency. Additionally, the silica layer is so thin
in the multi-layered structures that high electric conductivity can be
attained.
Révélées sont une structure de la couche mince de silicium pour les dispositifs optoélectroniques et une méthode pour fabriquer la même chose. La structure de la couche mince de silicium pour les dispositifs optoélectroniques, comporte une structure multicouche se composant d'une pluralité d'unités structurales, chacune qui comporte : une couche basse de silicium ; et une couche élément-enduite de silice de terre luminescente et rare sur la couche basse de ledit silicium, ou une structure multicouche se composant d'une pluralité d'unités structurales, chacune comportant : une couche basse de silicium ; une couche non dopée inférieure de solution tampon de silice pour retenir la couche de silicium d'absorber la lumière émise sur la couche basse de ledit silicium ; une couche élément-enduite de silice de terre luminescente et rare pour émettre la lumière sur ladite couche non dopée inférieure de solution tampon de silice ; et une couche supérieure et non dopée de solution tampon de silice pour retenir le silicium d'absorber la lumière émise sur ladite couche luminescente et enduite de silice. Par conséquent, alors que les structures multicouche de silicon/silica sont placées comme épine dorsale de base, la couche non dopée de silice est interposée entre la couche de silicium et la couche erbium-enduite de silice, augmentant de ce fait toute l'efficacité de luminescence. En plus, la couche de silice est tellement légèrement dans les structures multicouche que la conductivité électrique élevée peut être atteinte.
