A ferroelectric Pb.sub.5 Ge.sub.3 O.sub.11 (PGO) thin film is provided with a metal organic vapor deposition (MOCVD) process and RTP (Rapid Thermal Process) annealing techniques. The PGO film is substantially crystallization with c-axis orientation at temperature between 450 and 650.degree. C. The PGO film has an average grain size of about 0.5 microns, with a deviation in grain size uniformity of less than 10%. Good ferroelectric properties are-obtained for a 150 nm thick film with Ir electrodes. The films also show fatigue-free characteristics: no fatigue was observed up to 1.times.10.sup.9 switching cycles. The leakage currents increase with increasing applied voltage, and are about 3.6.times.10.sup.-7 A/cm.sup.2 at 100 kV/cm. The dielectric constant shows a behavior similar to most ferroelectric materials, with a maximum dielectric constant of about 45. These high quality MOCVD Pb.sub.5 Ge.sub.3 O.sub.11 films can be used for high density single transistor ferroelectric memory applications because of the homogeneity of the PGO film grain size.

Een ferroelectric (PGO) dunne film Pb.sub.5 wordt Ge.sub.3 O.sub.11 voorzien van het deposito (MOCVD) proces een van de metaal organische damp en (Snel Thermisch Proces) onthardende technieken RTP. De film PGO is wezenlijk kristallisatie met c-as richtlijn bij temperatuur tussen 450 en 650.degree. C. De film PGO heeft een gemiddelde korrelgrootte van ongeveer 0,5 microns, met een afwijking in de uniformiteit van de korrelgrootte van minder dan 10%, Goede ferroelectric eigenschappen die voor een 150 NM dikke film worden-VERKREGEN met de elektroden van IRL. De films tonen ook moeheid-vrije kenmerken: geen moeheid werd waargenomen tot 1.times.10.sup.9 omschakelingscycli. De lekkagestromen stijgen met stijgend toegepast voltage, en bedragen ongeveer 3.6.times.10.sup.-7 A/cm.sup.2 100 kV/cm. De diƫlektrische constante toont een gedrag gelijkend op de meeste ferroelectric materialen, met een maximum diƫlektrische constante van ongeveer 45. Deze MOCVD Pb.sub.5 films Ge.sub.3 O.sub.11 van uitstekende kwaliteit kunnen voor high-density enige toepassingen van het transistor ferroelectric geheugen wegens de homogeniteit van de PGO grootte van de filmkorrel worden gebruikt.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Capacitor and method for manufacturing the same

> Silica reinforced rubber compositions of improved processability and storage stability

> (none)

~ 00051