A lower electrode (4), a dielectric layer (5) made of a ferroelectric material or a high dielectric constant material, and an upper electrode (6) are formed in order on an insulating film (2). The dielectric layer (5) is formed to extend off the lower electrode (4). Between the portion of the dielectric layer (5) at which the dielectric layer is extending off the lower electrode and the insulating film (2), an insulation barrier layer (3) made of a composite metallic oxide including at least two metals containing a Si or a silicon nitride compound is interposed. In another mode, a plug for contact is provided in an insulating film, and an adhesion layer is provided between the plug and the lower electrode. An insulation barrier layer made of an oxide of the same material forming the adhesion layer is provided between the dielectric layer and the insulating film. As a result, Ti and Pb, which are constitutive elements of the ferroelectric material or high dielectric constant material do not diffuse and enter into an SiO.sub.2 film and a semiconductor layer, enabling easy formation of a barrier layer.

Un electrodo más bajo (4), una capa dieléctrica (5) hizo de un material ferroelectric o de un alto material de la constante dieléctrica, y un electrodo superior (6) se forma en orden en una película aislador (2). La capa dieléctrica (5) se forma para extender del electrodo más bajo (4). Entre la porción de la capa dieléctrica (5) en la cual la capa dieléctrica está extendiendo del electrodo más bajo y de la película aislador (2), una capa de barrera del aislamiento (3) hizo de un óxido metálico compuesto incluyendo por lo menos dos metales que contenían un silicio o se interpone un compuesto del nitruro de silicio. En otro modo, un enchufe para el contacto se proporciona en una película aislador, y una capa de la adherencia se proporciona entre el enchufe y el electrodo más bajo. Una capa de barrera del aislamiento hecha de un óxido del mismo material que forma la capa de la adherencia se proporciona entre la capa dieléctrica y la película aislador. Consecuentemente, ti y Pb, que son elementos constitutivos del material ferroelectric o el alto material de la constante dieléctrica no difunde y no entra en una película SiO.sub.2 y una capa del semiconductor, permitiendo la formación fácil de una capa de barrera.