A redundant memory system includes an address bus, a random access memory, a content addressable memory, a replacement memory, and a data bus. The random access memory includes a number of addressable memory locations each accessed by a different one of a number of addresses provided by the address bus. The content addressable memory stores a number of defective location addresses each corresponding to a defective addressable memory location of the random access memory and responds to a match between an address provided by the address bus and one of the defective location addresses to activate one of a number of match lines. The replacement memory is coupled to the content addressable memory by the match lines and includes a number of replacement memory locations each accessed by activating a different one of the lines. The data bus receives addressable memory information from the random access memory when addressed by one of the addresses other than one of the defective location addresses and receives replacement information from the replacement memory in response to activate a respective match line. Defective information in the addressable memory is accessed in response to addressing by one of the defective location addresses, but output of the defective information is prevented during a read operation by the match line activation.

Un sistema redundante de la memoria incluye un autobús de dirección, una memoria de acceso al azar, una memoria direccionable contenta, una memoria del reemplazo, y un ómnibus de datos. La memoria de acceso al azar incluye un número de posiciones de memoria direccionables cada uno alcanzada por diverso de un número de direcciones proporcionadas por el autobús de dirección. La memoria direccionable contenta almacena un número de direcciones defectuosas cada uno de la localización que corresponde a una posición de memoria direccionable defectuosa de la memoria de acceso al azar y responde a un fósforo entre una dirección proporcionada por el autobús de dirección y una de las direcciones defectuosas de la localización para activar una de un número de líneas del fósforo. La memoria del reemplazo es juntada a la memoria direccionable contenta por las líneas del fósforo e incluye un número de posiciones de memoria del reemplazo cada uno alcanzada activando diverso de las líneas. El ómnibus de datos recibe la información direccionable de la memoria de la memoria de acceso al azar cuando es tratado por una de las direcciones con excepción de una de la localización defectuosa trata y recibe la información del reemplazo de la memoria del reemplazo en respuesta a activa una línea respectiva del fósforo. La información defectuosa en la memoria direccionable es alcanzada en respuesta a la dirección por una de las direcciones defectuosas de la localización, pero la salida de la información defectuosa es prevenida durante una operación leída por la línea activación del fósforo.