Method and structures are provided for conformal lining of dual damascene structures in integrated circuits, and particularly of openings formed in porous materials. Trenches and contact vias are formed in insulating layers. The pores on the sidewalls of the trenches and vias are blocked, and then the structure is exposed to alternating chemistries to form monolayers of a desired lining material. In exemplary process flows chemical or physical vapor deposition (CVD or PVD) of a sealing layer blocks the pores due to imperfect conformality, and is followed by an atomic layer deposition (ALD), particularly alternately pulsed metal halide and ammonia gases injected into a constant carrier flow. An alternating process can also be arranged to function in CVD-mode within pores of the insulator, since the reactants do not easily purge from the pores between pulses. Self-terminated metal layers are thus reacted with nitrogen. Near perfect step coverage allows minimal thickness for a diffusion barrier function, thereby maximizing the volume of a subsequent filling metal for any given trench and via dimensions.

De methode en de structuren worden verstrekt voor conforme voering van dubbele damascenestructuren in geïntegreerde schakelingen, en in het bijzonder van openingen die in poreuze materialen worden gevormd. De geulen en contactvias worden gevormd in het isoleren lagen. De poriën op de zijwanden van de geulen en vias worden geblokkeerd, en dan wordt de structuur blootgesteld aan afwisselende chemie aan vormmonolayers van een gewenst voerend materiaal. In voorbeeldige processtromen blokkeert het chemische of fysieke dampdeposito (CVD of PVD) van een het verzegelen laag de poriën toe te schrijven aan onvolmaakte conformality, en door een atoomlaagdeposito (ALD) gevolgd, in het bijzonder afwisselend gepulseerde van de van het metaalhalogenide en ammoniak gassen die in een constante dragerstroom worden ingespoten. Een afwisselend proces kan ook worden geschikt om op CVD-Wijze binnen poriën van de isolatie te functioneren, aangezien de reactanten niet gemakkelijk van de poriën tussen impulsen zuiveren. De zelf-geëindigde metaallagen worden zo gereageerd met stikstof. Dichtbij perfecte stap staat de dekking minimale dikte voor een functie van de verspreidingsbarrière toe, daardoor maximaliserend het volume van een verder het vullen metaal voor om het even welke bepaalde geul en via afmetingen.