A memory device is described which includes memory cells, access lines, and support electronics for facilitating access to information stored in the memory cells via the access lines. Both the memory cells and the support electronics comprise multi-layer thin film structures exhibiting giant magnetoresistance.

On décrit un bloc de mémoires qui inclut des cellules de mémoire, des lignes d'accès, et l'électronique de soutien pour faciliter l'accès à l'information stockée dans les cellules de mémoire par l'intermédiaire des lignes d'accès. Les cellules de mémoire et l'électronique de soutien comportent les structures multicouche de la couche mince montrant la magnétorésistance géante.