A memory device includes memory cells having a re-writeable element and a write-once element in series with the re-writeable element. The re-writeable element is programmable between a high resistance state and a low resistance state. The write-once element can be an anti-fuse element that is programmable from a high resistance state to a low resistance state, or a fuse element that is programmable from a low resistance state to a high resistance state. The two possible states for the re-writeable element and the two possible states for the write-once element allow the memory cells to store four different bits.

Un dispositivo di memoria include le cellule di memoria che hanno un re-writeable elemento e un elemento write-once in serie con il re-writeable elemento. Il re-writeable elemento è programmabile fra un'alta resistenza dichiara e una resistenza bassa dichiara. L'elemento write-once può essere anti-fonde l'elemento che è programmabile da un'alta resistenza dichiara ad una resistenza bassa dichiara, o un elemento del fusibile che è programmabile da una resistenza bassa dichiara ad un'alta resistenza dichiara. I due possibili dichiarano per il re-writeable elemento ed i due possibili dichiarano per l'elemento write-once permettono che le cellule di memoria immagazzinino quattro bit differenti.