A flip chip structure of a light-emitting device comprising a UV/blue light emitting diode (LED) is disclosed. The flip chip structure is optimized to produce unique light focusing and phosphor illumination out the bottom of the structure. The flip chip structure includes a substrate, a gallium nitride layer epitaxially grown on a top surface of the substrate, and one or more layers of lensing material deposited on a bottom surface of the substrate. The lensing material is preferably a polymer lensing material, an index matching material, or a mixture thereof. The gallium nitride layer is deposited in the form of one or more odd-sided polygons, for enhanced light extraction.

Uma estrutura da microplaqueta da aleta de um dispositivo light-emitting que compreende um diodo emitindo-se claro de UV/blue (diodo emissor de luz) é divulgada. A estrutura da microplaqueta da aleta optimized para produzir focalizar e iluminação claras originais do fósforo para fora do fundo da estrutura. A estrutura da microplaqueta da aleta inclui uma carcaça, uma camada do nitride do gallium crescidas epitaxially em uma superfície superior da carcaça, e um ou mais camadas de material lensing depositadas em uma superfície inferior da carcaça. O material lensing é preferivelmente um material lensing do polímero, um material combinando do índice, ou uma mistura disso. A camada do nitride do gallium é depositada no formulário de um ou mais impar-tom o partido polygons, para a extração clara realçada.