In a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device including a gate oxide film formed on a surface channel layer, the gate oxide film is formed by a thermal oxidation treatment that is performed at conditions under which a recrystallization reaction between silicon dioxide (SiO.sub.2) and carbon (C) occurs to produce silicon carbide (SiC) with a Gibbs free energy G.sub.3 being negative. The recrystallization reaction is expressed by a chemical formula of SiO.sub.2 +3C.fwdarw.SiC+2CO+G.sub.3. Accordingly, residual carbon can be reduced at an interface between the gate oxide film and the surface channel layer.

In een methode om een de halfgeleiderapparaat van het siliciumcarbide met inbegrip van een film te vervaardigen van het poortoxyde die op een laag van het oppervlaktekanaal wordt gevormd, wordt de film van het poortoxyde gevormd door een thermische oxydatiebehandeling die bij voorwaarden wordt uitgevoerd waarop een herkristallisatiereactie tussen siliciumdioxyde (SiO.sub.2) en koolstof (C) voorkomt om siliciumcarbide (SiC) met een Gibbs die vrije energie te veroorzaken G.sub.3 negatief is. De herkristallisatiereactie wordt uitgedrukt door een chemische formule van SiO.sub.2 + 3C.fwdarw.SiC+2CO+G.sub.3. Dienovereenkomstig, kan de overblijvende koolstof bij een interface tussen de film van het poortoxyde en de laag van het oppervlaktekanaal worden verminderd.