The fabrication process of a conventional MRAM using a magnetoresistive effect element as a memory device is difficult, and the device structure makes it difficult to decrease the cell area and increase the degree of integration. It is an object of this invention to realize an MRAM which can achieve a high integration degree. A memory device is characterized by including a magnetoresistive element, a bit line formed above this magnetoresistive element, and a write line. The magnetoresistive element is formed immediately above the drain region of a field-effect transistor.

Il processo di montaggio di un MRAM convenzionale che usando un elemento magnetoresistente di effetto come dispositivo di memoria è difficile e le marche della struttura del dispositivo esso difficile fare diminuire la zona delle cellule ed aumentare il grado di integrazione. Realizzare un MRAM che può realizzare un alto grado di integrazione. Un dispositivo di memoria è caratterizzato includendo un elemento magnetoresistente, una linea della punta formata sopra questo elemento magnetoresistente e una linea di scrittura. L'elemento magnetoresistente è formato immediatamente sopra la regione dello scolo di un transistore di field-effect.