A method of chemical-mechanical polishing for forming a shallow trench isolation is disclosed. A substrate having a number of active regions, including a number of relative large active regions and a number of relative small active regions, is provided. The method comprises the following steps. A silicon nitride layer on the substrate is first formed. A number of shallow trenches are formed between the active regions. An oxide layer is formed over the substrate, so that the shallow trenches are filled with the oxide layer. A partial reverse active mask is formed on the oxide layer. The partial rever active mask has an opening at a central part of each relative large active region. The opening exposes a portion of the oxide layer. The opening has at least a dummy pattern. The oxide layer on the central part of each large active region is removed to expose the silicon nitride layer. The partial reverse active mask is removed. The oxide layer is planarized to expose the silicon nitride layer.

Un metodo della lucidatura prodotto-meccanica per formare un isolamento poco profondo della trincea è rilevato. Un substrato che ha un certo numero di regioni attive, compreso un certo numero di grandi regioni attive relative ed un certo numero di piccole regioni attive relative, è fornito. Il metodo contiene i seguenti punti. Uno strato del nitruro di silicio sul substrato in primo luogo è formato. Un certo numero di trincee poco profonde sono formate fra le regioni attive. Uno strato dell'ossido è formato sopra il substrato, di modo che le trincee poco profonde sono riempite di strato dell'ossido. Una mascherina attiva d'inversione parziale è formata sullo strato dell'ossido. La mascherina attiva del rever parziale ha un'apertura ad una parte centrale di ogni grande regione attiva relativa. L'apertura espone una parte dello strato dell'ossido. L'apertura ha almeno un modello fittizio. Lo strato dell'ossido sulla parte centrale di ogni grande regione attiva è rimosso per esporre lo strato del nitruro di silicio. La mascherina attiva d'inversione parziale è rimossa. Lo strato dell'ossido è planarized per esporre lo strato del nitruro di silicio.