An in-situ method for measuring the endpoint of a resist recess etch process for DRAM trench cell capacitors to determine the buried plate depth on a semiconductor wafer thereof, including: placing an IR device on the etch chamber; illuminating the surface of a semiconductor wafer during etching to a resist recess depth with IR radiation from the IR device; detecting reflection spectra from the illuminated surface of the semiconductor wafer with an IR detector; performing a frequency analysis of the reflection spectra and providing a corresponding plurality of wave numbers in response thereto; and utilizing calculating device coupled to the IR detector to calculate the resist recess depth at the illuminated portion of the wafer from the plurality of wave numbers corresponding to the reflection spectra.

In-situ метод для измерять endpoint процесса etch гнезда сопротивлять для конденсаторов клетки шанца DRAM для того чтобы обусловить похороненную глубину плиты на вафле полупроводника thereof, вклюая: устанавливать ИКОЕ приспособление на камере etch; освещать поверхность вафли полупроводника во время вытравлять к глубине гнезда сопротивлять с ИКОЙ радиацией от ИКОГО приспособления; обнаруживать спектры отражения от загоранной поверхности вафли полупроводника с ИКЫМ детектором; выполняющ анализ частоты спектров отражения и обеспечивающ соответствуя множественность номеров волны в реакции к тому; и использующ calculating приспособление соединенное к ИКОМУ детектору для того чтобы высчитать глубину гнезда сопротивлять на загоранной части вафли от множественности номеров волны соответствуя к спектрам отражения.