Disclosed herein is a semiconductor laser having a first transparent
dielectric film formed on at least either a front or rear facet through
which oscillating light passes, a second transparent dielectric film
formed on the first transparent dielectric film, and a third transparent
dielectric film formed on the second transparent dielectric film. The
first transparent dielectric film consists of aluminum dioxide (Al.sub.2
O.sub.3). The second transparent dielectric film consists of titanium
oxide (TiO.sub.2) or tantalum pentoxide (Ta.sub.2 O.sub.5), and the third
transparent dielectric film consists of silicon dioxide (SiO.sub.2). In
this semiconductor laser, the following relationships are satisfied:
0.09.lambda..ltoreq.n1d1.ltoreq.0.15.lambda.
0.20.lambda..ltoreq.n2d2.ltoreq.0.22.lambda.
0.225.lambda..ltoreq.n3d3.ltoreq.0.245.lambda.
where.lambda. is the oscillating wavelength, n1, n2, and n3 are the
refractive indices of the first, second, and third dielectric films with
respect to the oscillating wavelength, and d1, d2, and d3 are the
thicknesses of the first, second, and third dielectric films.
É divulgado nisto um laser do semicondutor que tem uma primeira película dieléctrica transparente dada forma em um facet ao menos dianteiro ou traseiro com que a luz oscilando passa, uma segunda película dieléctrica transparente dada forma na primeira película dieléctrica transparente, e em uma terceira película dieléctrica transparente dada forma na segunda película dieléctrica transparente. A primeira película dieléctrica transparente consiste no dióxido de alumínio (Al.sub.2 O.sub.3). A segunda película dieléctrica transparente consiste no óxido titanium (TiO.sub.2) ou no pentoxide do tantalum (Ta.sub.2 O.sub.5), e a terceira película dieléctrica transparente consiste no dióxido do silicone (SiO.sub.2). Neste laser do semicondutor, os seguintes relacionamentos são satisfeitos: 0.09.lambda..ltoreq.n1d1.ltoreq.0.15.lambda. 0.20.lambda..ltoreq.n2d2.ltoreq.0.22.lambda. 0.225.lambda..ltoreq.n3d3.ltoreq.0.245.lambda. where.lambda. é o wavelength oscilar, n1, n2, e n3 são os índices refractive das primeiras, segundas, e terceiras películas dieléctricas com respeito ao wavelength oscilando, e d1, d2, e d3 são as espessuras das primeiras, segundas, e terceiras películas dieléctricas.
