A method and apparatus for cleaning organic material from a semiconductor substrate suppresses the oxidation of a conductive film or layer on the substrate. A semiconductor substrate is immersed within a bath of water. The conductive layer is contacted to a source of electrons. The electrons form a floating charge protecting the conductive layer from oxidation. Ozone gas is introduced into the water bath. In another aspect, the semiconductor substrate is sprayed with water. Organic contaminants or films are oxidized and removed by the ozone, while the conductive or metal layer is preserved. An anode may be placed adjacent to the surface of the semiconductor substrate to passivate the metal layer via current flow.

Een methode en een apparaat om organisch materiaal van een halfgeleidersubstraat schoon te maken onderdrukken de oxydatie van een geleidende film of een laag op het substraat. Een halfgeleidersubstraat wordt ondergedompeld binnen een bad van water. De geleidende laag wordt gecontacteerd aan een bron van elektronen. De elektronen vormen een drijvende last die de geleidende laag beschermt tegen oxydatie. Het gas van het ozon wordt geïntroduceerd in het badwater. In een ander aspect, wordt het halfgeleidersubstraat bespoten met water. De organische verontreinigende stoffen of de films zijn geoxydeerd en verwijderd door het ozon, terwijl de geleidende of metaallaag wordt bewaard. Een anode kan naast de oppervlakte van het halfgeleidersubstraat worden geplaatst om de metaallaag via huidige stroom te passiveren.