Wafer cleaning systems (10, 25) utilizing both chemical and physical action
to clean integrated circuit wafers (14, 24) is disclosed. Chemical
cleaning action is provided by liquid retained within a tank (2, 22),
sized either to hold a single wafer (24) or a batch of wafers (14) held
within a carrier (12). Physical action is provided in the wafer cleaning
system either by way of inert gas bubbling through a baffle (5) or by way
of ultrasonic energy applied by transducers (28) located in the tank (2,
22). The systems (10, 25) have a programmable controller (20, 30) for
initiating the physical cleaning action after insertion of the wafers (14,
24) into the chemical bath, and for ceasing the physical action prior to
removal of the wafers (14, 24). After a waiting time after the ceasing of
the physical action, to calm the chemical bath and to permit any retained
bubbles to escape to the atmosphere, the wafers (14, 24) may then be
removed from the chemical bath, with reduced risk of staining and particle
release. A recirculating pump (35) and filter (33) system may also be
incorporated to clean the chemical bath; during such time as wafers are
not present in the chemical bath, the programmable controller (20, 30) may
initiate the physical action to assist in cleaning of the tank (2, 22).
Los sistemas de la limpieza de la oblea (10, 25) utilizando la acción química y física a las obleas limpias del circuito integrado (14, 24) se divulgan. La acción química de la limpieza es proporcionada por el líquido conservado dentro de un tanque (2, 22), clasificó para llevar a cabo una sola oblea (24) o una hornada de las obleas (14) sostenidas dentro de un portador (12). La acción física se proporciona en el sistema de la limpieza de la oblea por el gas inerte que burbujea a través de un bafle (5) o por la energía ultrasónica aplicada por los transductores (28) situados en el tanque (2, 22). Los sistemas (10, 25) tienen un regulador programable (20, 30) para iniciar la acción física de la limpieza después de la inserción de las obleas (14, 24) en el baño químico, y para cesar la acción física antes del retiro de las obleas (14, 24). Después de un tiempo de espera después de dejar de la acción física, de calmar el baño químico y de permitir cualquier burbuja conservada al escape a la atmósfera, las obleas (14, 24) se pueden entonces quitar del baño químico, con el riesgo reducido del lanzamiento el mancharse y de la partícula. Una bomba que recircula (35) y el sistema del filtro (33) se pueden también incorporar para limpiar el baño químico; durante el tiempo tal como las obleas no está presente en el baño químico, el regulador programable (20, 30) puede iniciar la acción física para asistir a la limpieza del tanque (2, 22).
