The present invention relates to low dielectric constant nanoporous silica films and to processes for their manufacture. A substrate, e.g., a wafer suitable for the production of an integrated circuit, having a plurality of raised lines and/or electronic elements present on its surface, is provided with a relatively high porosity, low dielectric constant, silicon-containing polymer film composition.

De onderhavige uitvinding heeft op de lage films van het diëlektrische constante nanoporous kiezelzuur en op processen voor hun vervaardiging betrekking. Een substraat, b.v., een wafeltje geschikt voor de productie van een geïntegreerde schakeling, die een meerderheid van opgeheven lijnen en/of elektronische elementen huidig op zijn oppervlakte heeft, wordt voorzien van een vrij hoge poreusheid, lage diëlektrische constante, silicium-bevat de samenstelling van de polymeerfilm.