There is disclosed a method of forming a copper wiring in a semiconductor device. The method establishes a new process technology by which a seed layer is formed by a metal organic chemical vapor deposition method using 1,1,1,5,5,5,5-hexafluoro-2, 4-pentadionato (3,3-dimethyl-1-butene)-copper(I) ((hfac)Cu(DMB)) compound as a copper precursor, by optimally setting deposition process conditions of Cu deposition equipment and filling Cu by either a electroplating method or a electroless-plating method. An alternate method establishes a new process technology by which a first seed layer is formed by physical vapor deposition method, a second seed layer is formed on the first seed layer by a metal organic chemical vapor deposition method using the ((hfac)Cu(DMB)) compound as a copper precursor and Cu is then filled by electroplating method or electroless-plating method. Thus, according to the present invention, the new process technology can not only realize reappearance of the copper deposition process but also obtain a copper thin film having a good film quality.

Er onthuld een methode wordt om een koper bedrading in een halfgeleiderapparaat te vormen. De methode vestigt een nieuwe procestechnologie waardoor een zaadlaag door een het depositomethode van de metaal organische chemische damp gebruikend 1.1.1.5.5.5.5-hexafluoro-2 wordt gevormd, 4-pentadionato (3.3-dimethyl-1-butene)-copper(I) ((samenstelling hfac)Cu(DMB)) als kopervoorloper, door de voorwaarden van het depositoproces van het depositomateriaal van Cu optimaal te plaatsen en Cu te vullen door of een het galvaniseren methode of een electroless-plateert methode. Een afwisselende methode vestigt een nieuwe procestechnologie waardoor een eerste zaadlaag door de fysieke methode wordt gevormd van het dampdeposito, wordt een tweede zaadlaag gevormd op de eerste zaadlaag door te gebruiken van de het depositomethode van de metaal organische chemische damp ((wordt)) samenstelling hfac)Cu(DMB als kopervoorloper en Cu dan gevuld door het galvaniseren methode of electroless-plateert methode. Aldus, volgens de onderhavige uitvinding, kan de nieuwe procestechnologie niet alleen herverschijning van het proces van het koperdeposito realiseren maar ook een koper dunne film verkrijgen die een goede filmkwaliteit heeft.