A method for forming upon a substrate employed within a microelectronics fabrication a dielectric layer. There is provided a substrate upon which is formed a patterned microelectronics layer. There is then formed upon and over the substrate at least one low dielectric constant dielectric layer formed employing a spin-on-polymer (SOP) low dielectric constant dielectric material. There is then cured the low dielectric constant dielectric layer at an elevated temperature. There is then subsequently annealed the low dielectric constant dielectric layer at a temperature selected to be lower than the curing temperature For a selected time interval so as to attenuate shrinkage and stabilize physical and chemical properties of the dielectric layer

Μια μέθοδος για επάνω σε ένα υπόστρωμα υιοθέτησε μέσα σε μια επεξεργασία μικροηλεκτρονικής ένα διηλεκτρικό στρώμα. Παρέχεται ένα υπόστρωμα επάνω στο οποίο διαμορφώνεται ένα διαμορφωμένο στρώμα μικροηλεκτρονικής. Διαμορφώνεται έπειτα επάνω και πέρα από στο υπόστρωμα τουλάχιστον ένα χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς που διαμορφώνεται χρησιμοποίηση ενός διηλεκτρικού υλικού περιστροφή-$$$-ΠΟΛΥΜΕΡΟΎΣ (sop) χαμηλού διηλεκτρικής σταθεράς. Θεραπεύεται έπειτα το χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς σε μια ανυψωμένη θερμοκρασία. Έπειτα στη συνέχεια ανοπτείται το χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς σε μια θερμοκρασία που επιλέγεται για να είναι χαμηλότερο από τη θερμοκρασία θεραπείας για ένα επιλεγμένο χρονικό διάστημα ώστε να μειωθεί η διακένωση και να σταθεροποιηθούν οι φυσικές και χημικές ιδιότητες του διηλεκτρικού στρώματος