Within a method for fabricating a microelectronic fabrication there is first provided a substrate having formed thereover a minimum of one microelectronic layer, where the minimum of one microelectronic layer is at least partially transparent to an incident radiation beam. There is then chemical mechanical polish (CMP) planarized the minimum of one microelectronic layer, while employing a chemical mechanical polish (CMP) planarizing method, to form from the minimum of one microelectronic layer a minimum of one chemical mechanical polish (CMP) planarized microelectronic layer. Within the method, a chemical mechanical polish (CMP) planarizing endpoint within the chemical mechanical polish (CMP) planarizing method with respect to the minimum of one chemical mechanical polish (CMP) planarized microelectronic layer is determined while employing the incident radiation beam incident upon the minimum of one microelectronic layer, in conjunction with a derivative of a property of a minimum of one reflected portion of the incident radiation beam reflected from the minimum of one microelectronic layer as the minimum of one microelectronic layer is chemical mechanical polish (CMP) planarized to form the minimum of one chemical mechanical polish (CMP) planarized microelectronic layer.

Binnen een methode om een micro-electronische vervaardiging te vervaardigen er eerst verstrekt een substraat wordt heeft gevormd thereover een minimum van één micro-electronische laag, waar het minimum van één micro-electronische laag gedeeltelijk aan een inherente stralingsstraal minstens transparant is. Er is dan chemisch mechanisch poetsmiddel (CMP) planarized het minimum van één micro-electronische laag, terwijl het aanwenden van een chemische mechanische poetsmiddel (CMP) planarizing methode, aan vorm van het minimum van één micro-electronische laag planarized een minimum van één chemisch mechanisch poetsmiddel (CMP) micro-electronische laag. Binnen de methode, planarized een chemisch mechanisch poetsmiddel (CMP) planarizing eindpunt binnen de chemische mechanische poetsmiddel (CMP) planarizing methode met betrekking tot het minimum van één chemisch mechanisch poetsmiddel (CMP) micro-electronische laag wordt bepaald terwijl het aanwenden van het inherente incident van de stralingsstraal op het minimum van één micro-electronische laag, samen met een derivaat van een bezit van een minimum van één weerspiegeld gedeelte van de inherente weerspiegelde stralingsstraal van het minimum van één micro-electronische laag aangezien het minimum van één micro-electronische laag chemisch mechanisch poetsmiddel (CMP) planarized om het minimum van één chemisch mechanisch poetsmiddel (CMP) te vormen planarized micro-electronische laag is.