After an amorphous semiconductor thin film is crystallized by utilizing a catalyst element, the catalyst element is removed by performing a heat treatment in an atmosphere containing a halogen element. A resulting crystalline semiconductor thin film exhibits {110} orientation. Since individual crystal grains have approximately equal orientation, the crystalline semiconductor thin film has substantially no grain boundaries and has such crystallinity as to be considered a single crystal or considered so substantially.

После аморфического полупроводника тонкая, котор пленка выкристаллизовывана путем использовать элемент катализатора, элемент катализатора извлекает путем выполнять обработку жары в атмосфере содержа элемент галоида. Приводя к пленка кристаллического полупроводника тонкая exhibits ориентация {110}. В виду того что индивидуальные crystal зерна имеют приблизительно равную ориентацию, пленка кристаллического полупроводника тонкая имеет substantially no границы зерна и имеет такую кристалличность о быть рассмотренным одиночным кристаллом или рассмотренным настолько существенн.