An electro-optical device having high operation performance and high reliability, and electronic equipment which include the electro-optical device, are provided. A TFT structure that is strong against hot carrier injection is realized by placing an LDD region which overlaps a gate electrode in an n-channel TFT forming a driver circuit. Furthermore, a TFT structure having a low off current value is realized by placing LDD regions which do not overlap a gate electrode in a pixel TFT forming a pixel section. In addition, the electro-optical device has a memory section on the same insulator, the memory section having a memory transistor and storing data.

Um dispositivo electro-optical que têm o desempenho elevado da operação e a confiabilidade elevada, e o equipamento eletrônico que incluam o dispositivo electro-optical, são fornecidos. Uma estrutura de TFT que seja forte de encontro à injeção de portador quente é realizada colocando uma região de LDD que sobreponha um elétrodo de porta em uma n-canaleta TFT que dá forma a um circuito do excitador. Além disso, uma estrutura de TFT que tem um ponto baixo fora do valor atual é realizada colocando as regiões de LDD que não sobrepõem um elétrodo de porta em um pixel TFT que dá forma a uma seção do pixel. Além, o dispositivo electro-optical tem uma seção da memória no mesmo isolador, a seção da memória que tem um transistor da memória e que armazena dados.