A photoelectric conversion device comprising at least an electron acceptive charge transfer layer, an electron donative charge transfer layer, and a light absorption layer existing between the charge transfer layers, wherein either one of the charge transfer layers comprises a semiconductor acicular crystal layer comprising an aggregate of acicular crystals or a mixture of an acicular crystal and another crystal, and a method of producing the device are disclosed. Consequently, a photoelectric conversion device being capable of smoothly carrying out transfer of electrons and having high photoelectric conversion efficiency is provided.

Показано светоэлектрическое приспособление преобразования состоя из по крайней мере слоя перехода обязанности электрона acceptive, слоя перехода обязанности электрона donative, и слоя светлой абсорбциы существуя между слоями перехода обязанности, при котором или один из слоев перехода обязанности состоят из слоя полупроводника acicular crystal состоя из компосита acicular кристаллов или смесь acicular кристалла и другого кристалла, и методом производить приспособление. Следовательно, обеспечено светоэлектрическое приспособление преобразования способно ровно носить из перехода электронов и иметь высокую светоэлектрическую эффективность преобразования.