Within a damascene method for forming a patterned conductor layer within an aperture defined by a patterned dielectric layer within a microelectronic fabrication, at least one of: (1) the patterned dielectric layer is thermally annealed at a temperature of from about 300 to about 450 degrees centigrade prior to forming within the aperture the patterned conductor layer; and (2) the aperture is etched with a plasma employing an etchant gas composition comprising hydrogen to form a laterally enlarged aperture prior to forming within the laterally enlarged aperture the patterned conductor layer. In accord with the method, the microelectronic fabrication is formed with decreased contact resistance and enhanced structural integrity.

Dans une méthode damascène pour former une couche modelée de conducteur dans une ouverture définie par une couche diélectrique modelée dans une fabrication microélectronique, au moins un de : (1) la couche diélectrique modelée est thermiquement recuite à une température de environ de 300 à environ 450 degrés de centigrade avant de former dans l'ouverture la couche modelée de conducteur ; et (2) l'ouverture est gravée à l'eau-forte avec un plasma utilisant une composition etchant en gaz comportant l'hydrogène pour former une ouverture latéralement agrandie avant de former dans l'ouverture latéralement agrandie la couche modelée de conducteur. En accord avec la méthode, la fabrication microélectronique est formée avec la résistance diminuée de contact et l'intégrité structurale augmentée.