The present invention describes a method of manufacturing a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate (2) in the shape of a slice, the method comprising the steps of: step 1) selectively applying a pattern of a solids-based dopant source to a first major surface of said semiconducting substrate (2); step 2) diffusing the dopant atoms from said solids-based dopant source into said substrate (2) by a controlled heat treatment step in a gaseous environment surrounding said semi-conducting substrate (2), the dopant from said solids-based dopant source diffusing directly into said substrate (2) to form a first diffusion region (12) and, at the time, diffusing said dopant from said solids-based dopant source indirectly via said gaseous environment into said substrate (2) to form a second diffusion region (15) in at least some areas of said substrate (2) not covered by said pattern; and step 3) forming a metal contact pattern (20) substantially in alignment with said first diffusion region (12) without having etched said second diffusion region (15) substantially.

De onderhavige uitvinding beschrijft een methode om een halfgeleiderapparaat te vervaardigen, bestaand uit een halfgeleidersubstraat (2) in de vorm van een plak, de methode bestaand uit de stappen van: stap 1) die selectief een patroon van een op lichaam-gebaseerde additiefbron toepast op een eerste belangrijke oppervlakte van bovengenoemd semiconducting substraat (2); stap 2) die de additiefatomen uit bovengenoemde op lichaam-gebaseerde additiefbron verspreidt in bovengenoemd substraat (2) door een gecontroleerde thermische behandelingsstap in een gasachtig milieu dat bovengenoemd semi-conducting substraat (2), het additief van het bovengenoemde op lichaam-gebaseerde additief bron verspreiden direct in bovengenoemd substraat (2) omringt om een eerste verspreidingsgebied (12) en, tegelijkertijd, het verspreiden bovengenoemd additief uit bovengenoemde op lichaam-gebaseerde additiefbron onrechtstreeks via bovengenoemd gasachtig milieu in bovengenoemd substraat (2) te vormen om een tweede verspreidingsgebied (15) op minstens sommige gebied van bovengenoemd substraat (2) niet te vormen dat door bovengenoemd patroon wordt behandeld; en stap 3) die een patroon van het metaalcontact (20) wezenlijk op één lijn met bovengenoemd eerste verspreidingsgebied (12) vormt zonder bovengenoemd tweede verspreidingsgebied (15) wezenlijk geëtst te hebben.