A method for forming a patterned microelectronic layer. There is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a multi-layer stack layer comprising: (1) a first lower microelectronic layer; (2) a second intermediate patterned microelectronic layer formed over the first lower microelectronic layer; and (3) a third upper patterned microelectronic layer formed over the second intermediate patterned microelectronic layer, where the first lower microelectronic layer and the third upper patterned microelectronic layer are susceptible to etching within a first etchant. There is then formed encapsulating the first lower microelectronic layer and at least portion of the second intermediate patterned microelectronic layer while leaving exposed at least a portion of the third upper patterned microelectronic layer an encapsulating layer. There is then etched selectively, while employing a first etch method which employs the first etchant, the third upper patterned microelectronic layer while the first lower microelectronic layer and at least the portion of the second intermediate patterned microelectronic layer are encapsulated with the encapsulating layer. Finally, there is then stripped, while employing a second etch method which employs a second etchant, from the first microelectronic layer and at least the portion of the second intermediate patterned microelectronic layer the encapsulating layer. The method may be employed for stripping from a gate electrode within a field effect transistor (FET) a patterned dielectric cap layer formed upon the gate electrode while not etching a gate dielectric layer upon Which is formed the gate electrode within the field effect transistor (FET).

Метод для формировать сделанный по образцу микроэлектронный слой. Сперва обеспечено субстрату. После этого сформировано над субстратом разнослоистый слой стога состоя из: (1) первый более низкий микроэлектронный слой; (2) второй промежуточный сделанный по образцу микроэлектронный слой сформировал над первым более низким микроэлектронным слоем; и (3) третий верхний сделанный по образцу микроэлектронный слой сформировал над вторым промежуточным сделанным по образцу микроэлектронным слоем, где первый более низкий микроэлектронный слой и третий верхний сделанный по образцу микроэлектронный слой susceptible к вытравлять в пределах первое etchant. После этого сформировано помещая первые более низкие микроэлектронные слой и по крайней мере часть второго промежуточного сделанного по образцу микроэлектронного слоя пока выходить подвергл действию по крайней мере часть третьего верхнего сделанного по образцу микроэлектронного слоя помещая слой. После этого вытравлено селективно, пока использующ первый метод который использует первое etchant, третий верхний сделанный по образцу микроэлектронный слой etch пока первый более низкий микроэлектронный слой и по крайней мере часть второго промежуточного сделанного по образцу микроэлектронного слоя помещены с помещая слоем. Окончательно, после этого раздето, пока использующ второй метод etch который использует второе etchant, от первого микроэлектронного слоя и по крайней мере часть второго промежуточного сделанного по образцу микроэлектронного слоя помещая слой. Метод может быть использован для прокладки от электрода строба внутри транзистор влияния поля (fet) сделанного по образцу диэлектрического слоя крышки сформированного на электроде строба пока вытравляющ слой строба диэлектрический на сформирован электрод строба внутри транзистор влияния поля (fet).